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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDMS8570SDC由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMS8570SDC价格参考¥8.28-¥8.28。Fairchild SemiconductorFDMS8570SDC封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDMS8570SDC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMS8570SDC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 25V 28A PQFNMOSFET 25V N-Channel PowerTrench SyncFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,肖特基,金属氧化物! |
Id-ContinuousDrainCurrent | 60 A |
Id-连续漏极电流 | 60 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMS8570SDCPowerTrench®, SyncFET™ |
数据手册 | |
产品型号 | FDMS8570SDC |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 59 W |
Pd-功率耗散 | 59 W |
Qg-GateCharge | 42 nC |
Qg-栅极电荷 | 42 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.8 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 2.8 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2825pF @ 13V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 42nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.8 毫欧 @ 28A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-PQFN |
其它名称 | FDMS8570SDCDKR |
功率-最大值 | 3.3W |
包装 | Digi-Reel® |
单位重量 | 90 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
封装/箱体 | Power-56-10 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 25V |
特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/fairchild-cloud-systems-computing/4301 |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 28A (Ta), 60A (Tc) |
系列 | FDMS8570S |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Dual |