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  • 型号: FDMS8570SDC
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDMS8570SDC由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMS8570SDC价格参考¥8.28-¥8.28。Fairchild SemiconductorFDMS8570SDC封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDMS8570SDC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMS8570SDC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 25V 28A PQFNMOSFET 25V N-Channel PowerTrench SyncFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,肖特基,金属氧化物!

Id-ContinuousDrainCurrent

60 A

Id-连续漏极电流

60 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMS8570SDCPowerTrench®, SyncFET™

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产品型号

FDMS8570SDC

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

59 W

Pd-功率耗散

59 W

Qg-GateCharge

42 nC

Qg-栅极电荷

42 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

2.8 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

2.8 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

25 V

Vds-漏源极击穿电压

25 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

12 V

Vgs-栅源极击穿电压

12 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.2V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2825pF @ 13V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

42nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

2.8 毫欧 @ 28A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-PQFN

其它名称

FDMS8570SDCDKR

功率-最大值

3.3W

包装

Digi-Reel®

单位重量

90 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-PowerTDFN

封装/箱体

Power-56-10

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

25V

特色产品

http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/fairchild-cloud-systems-computing/4301

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

28A (Ta), 60A (Tc)

系列

FDMS8570S

通道模式

Enhancement

配置

Dual

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