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  • 型号: FDMS8018
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FDMS8018产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDMS8018由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMS8018价格参考。Fairchild SemiconductorFDMS8018封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 30A(Ta),120A(Tc) 2.5W(Ta),83W(Tc) 8-PQFN(5x6)。您可以下载FDMS8018参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMS8018 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 30V 30A 8PQFNMOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

30 A

Id-连续漏极电流

30 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMS8018PowerTrench®

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产品型号

FDMS8018

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

2.5 W

Pd-功率耗散

2.5 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

1.8 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

1.8 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

5235pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

61nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.8 毫欧 @ 30A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-PQFN(5X6),Power56

其它名称

FDMS8018CT

功率-最大值

2.5W

包装

剪切带 (CT)

单位重量

90 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-TDFN 裸露焊盘

封装/箱体

Power 56-8

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

30V

特色产品

http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/fairchild-cloud-systems-computing/4301

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

30A (Ta), 120A (Tc)

系列

FDMS8018

配置

Single

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