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  • 型号: FDMS7650DC
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDMS7650DC由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMS7650DC价格参考。Fairchild SemiconductorFDMS7650DC封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 47A(Ta),100A(Tc) 3.3W(Ta),125W(Tc) Dual Cool™56。您可以下载FDMS7650DC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMS7650DC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 30V 47A POWER56MOSFET 30V N-Chnl Dual Cool Pwr Trench MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

47 A

Id-连续漏极电流

47 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMS7650DCDual Cool™, PowerTrench®

数据手册

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产品型号

FDMS7650DC

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

3.3 W

Pd-功率耗散

3.3 W

Qg-GateCharge

147 nC

Qg-栅极电荷

147 nC

RdsOn-漏源导通电阻

600 uOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

1.9 V

Vgsth-栅源极阈值电压

1.9 V

上升时间

28 ns

下降时间

20 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.7V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

14765pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

206nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

0.99 毫欧 @ 36A, 10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

Power56

其它名称

FDMS7650DCDKR

功率-最大值

3.3W

包装

Digi-Reel®

单位重量

90 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-PowerTDFN

封装/箱体

Power 56-8

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

225 S

漏源极电压(Vdss)

30V

特色产品

http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/fairchild-cloud-systems-computing/4301

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

47A (Ta), 100A (Tc)

系列

FDMS7650

配置

Dual

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