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  • 型号: FDMS7608S
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDMS7608S由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMS7608S价格参考。Fairchild SemiconductorFDMS7608S封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 30V 12A,15A 1W 表面贴装 Power56。您可以下载FDMS7608S参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMS7608S 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET 2N-CH 30V 12A/15A 8-PQFNMOSFET PT7 Nch 30/20V & PT8 Nch 30/20V

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

12 A, 15 A

Id-连续漏极电流

12 A, 15 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMS7608SPowerTrench®

数据手册

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产品型号

FDMS7608S

Pd-PowerDissipation

1 W

Pd-功率耗散

1 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

10.3 mOhms, 6.6 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

10.3 mOhms, 6.6 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

10 ns

下降时间

10 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1510pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

24nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

10 毫欧 @ 12A,10V

产品

MOSFET Gate Drivers

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-MLP(5x6)

其它名称

FDMS7608SDKR

功率-最大值

1W

包装

Digi-Reel®

单位重量

226 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-WDFN 裸露焊盘

封装/箱体

MLP-8 (Power56)

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大功率耗散

2.5 W

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

30V

激励器数量

2

特色产品

http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/fairchild-cloud-systems-computing/4301

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

12A,15A

类型

MOSFET Driver

系列

FDMS7608S

输出电压

30 V

输出电流

22 A

配置

Dual

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