数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDMS7606由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMS7606价格参考。Fairchild SemiconductorFDMS7606封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDMS7606参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMS7606 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 30V PWR56MOSFET Dual N-Channel PowerTrench MOSFET |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
Id-ContinuousDrainCurrent | 11.5 A |
Id-连续漏极电流 | 12 A, 22 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMS7606PowerTrench® |
数据手册 | |
产品型号 | FDMS7606 |
Pd-PowerDissipation | 2.2 W, 2.5 W |
Pd-功率耗散 | 2.2 W, 2.5 W |
Qg-GateCharge | 16 nC, 19 nC |
Qg-栅极电荷 | 16 nC, 19 nC |
RdsOn-漏源导通电阻 | 11.4 mOhms, 11.6 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.1 V, 1.9 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.1 V, 1.9 V |
上升时间 | 3 ns |
下降时间 | 3 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1400pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 22nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 11.4 毫欧 @ 11.5A, 10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | Power56 |
其它名称 | FDMS7606DKR |
功率-最大值 | 1W |
包装 | Digi-Reel® |
单位重量 | 211 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
封装/箱体 | Power 56-8 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 53 S, 47 S |
汲极/源极击穿电压 | 30 V |
漏极连续电流 | 11.5 A |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 11.5A, 12A |
系列 | FDMS7606 |
配置 | Dual |