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  • 型号: FDMS7606
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDMS7606由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMS7606价格参考。Fairchild SemiconductorFDMS7606封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDMS7606参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMS7606 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 30V PWR56MOSFET Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

11.5 A

Id-连续漏极电流

12 A, 22 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMS7606PowerTrench®

数据手册

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产品型号

FDMS7606

Pd-PowerDissipation

2.2 W, 2.5 W

Pd-功率耗散

2.2 W, 2.5 W

Qg-GateCharge

16 nC, 19 nC

Qg-栅极电荷

16 nC, 19 nC

RdsOn-漏源导通电阻

11.4 mOhms, 11.6 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

2.1 V, 1.9 V

Vgsth-栅源极阈值电压

2.1 V, 1.9 V

上升时间

3 ns

下降时间

3 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1400pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

22nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

11.4 毫欧 @ 11.5A, 10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

Power56

其它名称

FDMS7606DKR

功率-最大值

1W

包装

Digi-Reel®

单位重量

211 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-PowerWDFN

封装/箱体

Power 56-8

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

标准包装

1

正向跨导-最小值

53 S, 47 S

汲极/源极击穿电压

30 V

漏极连续电流

11.5 A

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

11.5A, 12A

系列

FDMS7606

配置

Dual

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