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  • 型号: FDMS6673BZ
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDMS6673BZ由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMS6673BZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDMS6673BZ封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDMS6673BZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMS6673BZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 30V 15.2A POWER56MOSFET -30V 28A P-Channel PowerTrench

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

15.2 A

Id-连续漏极电流

15.2 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMS6673BZPowerTrench®

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产品型号

FDMS6673BZ

PCN组件/产地

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PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

2.5 W

Pd-功率耗散

2.5 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

6.8 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

6.8 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 30 V

Vds-漏源极击穿电压

- 30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 25 V

Vgs-栅源极击穿电压

25 V

上升时间

28 ns

下降时间

79 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

5915pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

130nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

6.8 毫欧 @ 15.2A,10V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

Power56

其它名称

FDMS6673BZDKR

典型关闭延迟时间

97 ns

功率-最大值

2.5W

包装

Digi-Reel®

单位重量

90 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-PQFN,Power56

封装/箱体

Power 56-8

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

30V

特色产品

http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/fairchild-cloud-systems-computing/4301

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

15.2A (Ta), 28A (Tc)

系列

FDMS6673BZ

通道模式

Enhancement

配置

Single Quad Drain Triple Source

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