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  • 型号: FDMS4435BZ
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FDMS4435BZ产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDMS4435BZ由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMS4435BZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDMS4435BZ封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 30V 9A(Ta),18A(Tc) 2.5W(Ta),39W(Tc) 8-PQFN(5x6)。您可以下载FDMS4435BZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMS4435BZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDMS4435BZ是由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款N沟道MOSFET晶体管。它具有低导通电阻、快速开关速度和高耐压特性,广泛应用于多种电力电子设备中。

 主要应用场景:

1. 电源管理:
   - DC-DC转换器:FDMS4435BZ适用于降压、升压或升降压DC-DC转换器中的开关元件,能够高效地进行电压转换,提供稳定的输出电压。
   - 开关电源(SMPS):在开关电源中作为主开关管,用于控制电源的开关频率和占空比,提高电源效率并减少发热。

2. 电机驱动:
   - 无刷直流电机(BLDC)驱动:该MOSFET可用于BLDC电机的逆变桥电路,实现电机的精确控制和高效运行。
   - 步进电机驱动:在步进电机驱动器中,FDMS4435BZ可以作为功率级的一部分,用于电流控制和方向切换。

3. 负载开关:
   - 电池管理系统(BMS):在电池管理系统中,用作负载开关,保护电池免受过充、过放、短路等异常情况的影响。
   - 汽车电子:在汽车电子系统中,如车载充电器、LED照明、电动座椅等应用中,作为负载开关控制各种负载的通断。

4. 通信设备:
   - 基站电源:在通信基站的电源模块中,FDMS4435BZ可用于电源转换和稳压,确保基站稳定工作。
   - 服务器电源:在数据中心和服务器的电源设计中,该MOSFET有助于提高电源效率,降低能耗。

5. 消费电子产品:
   - 笔记本电脑适配器:在笔记本电脑的电源适配器中,作为开关元件,提供高效的电源转换。
   - 移动电源:在移动电源中,用于电池充放电管理,确保电池的安全和长寿命。

 总结:
FDMS4435BZ凭借其优异的电气性能和可靠性,在电源管理、电机驱动、负载开关、通信设备和消费电子产品等多个领域有着广泛的应用。其低导通电阻和快速开关特性使其成为高效电力转换的理想选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET P-CH 30V 9A POWER56MOSFET P-Channel PowerTrench MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 9 A

Id-连续漏极电流

- 9 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMS4435BZPowerTrench®

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

FDMS4435BZ

Pd-PowerDissipation

39 W

Pd-功率耗散

39 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

20 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

20 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 30 V

Vds-漏源极击穿电压

- 30 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2050pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

47nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

20 毫欧 @ 9A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-PQFN(5X6),Power56

其它名称

FDMS4435BZCT

功率-最大值

2.5W

包装

剪切带 (CT)

单位重量

90 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

20 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-PowerTDFN

封装/箱体

Power 56-8

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

25 S

汲极/源极击穿电压

- 30 V

漏极连续电流

- 9 A

漏源极电压(Vdss)

30V

特色产品

http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/fairchild-cloud-systems-computing/4301

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

9A (Ta), 18A (Tc)

系列

FDMS4435BZ

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