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FDMS4435BZ产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDMS4435BZ由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMS4435BZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDMS4435BZ封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 30V 9A(Ta),18A(Tc) 2.5W(Ta),39W(Tc) 8-PQFN(5x6)。您可以下载FDMS4435BZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMS4435BZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDMS4435BZ是由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款N沟道MOSFET晶体管。它具有低导通电阻、快速开关速度和高耐压特性,广泛应用于多种电力电子设备中。 主要应用场景: 1. 电源管理: - DC-DC转换器:FDMS4435BZ适用于降压、升压或升降压DC-DC转换器中的开关元件,能够高效地进行电压转换,提供稳定的输出电压。 - 开关电源(SMPS):在开关电源中作为主开关管,用于控制电源的开关频率和占空比,提高电源效率并减少发热。 2. 电机驱动: - 无刷直流电机(BLDC)驱动:该MOSFET可用于BLDC电机的逆变桥电路,实现电机的精确控制和高效运行。 - 步进电机驱动:在步进电机驱动器中,FDMS4435BZ可以作为功率级的一部分,用于电流控制和方向切换。 3. 负载开关: - 电池管理系统(BMS):在电池管理系统中,用作负载开关,保护电池免受过充、过放、短路等异常情况的影响。 - 汽车电子:在汽车电子系统中,如车载充电器、LED照明、电动座椅等应用中,作为负载开关控制各种负载的通断。 4. 通信设备: - 基站电源:在通信基站的电源模块中,FDMS4435BZ可用于电源转换和稳压,确保基站稳定工作。 - 服务器电源:在数据中心和服务器的电源设计中,该MOSFET有助于提高电源效率,降低能耗。 5. 消费电子产品: - 笔记本电脑适配器:在笔记本电脑的电源适配器中,作为开关元件,提供高效的电源转换。 - 移动电源:在移动电源中,用于电池充放电管理,确保电池的安全和长寿命。 总结: FDMS4435BZ凭借其优异的电气性能和可靠性,在电源管理、电机驱动、负载开关、通信设备和消费电子产品等多个领域有着广泛的应用。其低导通电阻和快速开关特性使其成为高效电力转换的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET P-CH 30V 9A POWER56MOSFET P-Channel PowerTrench MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | - 9 A |
Id-连续漏极电流 | - 9 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMS4435BZPowerTrench® |
数据手册 | |
产品型号 | FDMS4435BZ |
Pd-PowerDissipation | 39 W |
Pd-功率耗散 | 39 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 20 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 20 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2050pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 47nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 20 毫欧 @ 9A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-PQFN(5X6),Power56 |
其它名称 | FDMS4435BZCT |
功率-最大值 | 2.5W |
包装 | 剪切带 (CT) |
单位重量 | 90 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 20 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
封装/箱体 | Power 56-8 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 25 S |
汲极/源极击穿电压 | - 30 V |
漏极连续电流 | - 9 A |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/fairchild-cloud-systems-computing/4301 |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 9A (Ta), 18A (Tc) |
系列 | FDMS4435BZ |