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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDMS3669S由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMS3669S价格参考。Fairchild SemiconductorFDMS3669S封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 N 沟道(双)非对称型 Mosfet 阵列 30V 13A,18A 1W 表面贴装 Power56。您可以下载FDMS3669S参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMS3669S 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A PWR56MOSFET 30V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 N 沟道(双)非对称型 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 60 A |
Id-连续漏极电流 | 60 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMS3669SPowerTrench® |
数据手册 | |
产品型号 | FDMS3669S |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
Pd-功率耗散 | 2.5 W |
Qg-GateCharge | 34 nC |
Qg-栅极电荷 | 34 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 10 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 10 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 2 V |
上升时间 | 3 ns |
下降时间 | 3 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.7V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1605pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 24nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 10 毫欧 @ 13A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | Power56 |
其它名称 | FDMS3669SDKR |
典型关闭延迟时间 | 24 ns |
功率-最大值 | 1W |
包装 | Digi-Reel® |
单位重量 | 171 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 10 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | Power56 |
封装/箱体 | Power 56-8 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 113 S |
汲极/源极击穿电压 | 30 V |
漏极连续电流 | 60 A |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/fairchild-cloud-systems-computing/4301 |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 13A,18A |
系列 | FDMS3669S |
配置 | Dual Asymmetric |