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Datasheet下载- 型号： FDMS3660S
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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FDMS3660S产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDMS3660S由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMS3660S价格参考。Fairchild SemiconductorFDMS3660S封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 N 沟道（双）非对称型 Mosfet 阵列 30V 13A，30A 1W 表面贴装 Power56。您可以下载FDMS3660S参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDMS3660S 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFNMOSFET PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 N 沟道（双）非对称型 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 13 A |
| Id-连续漏极电流 | 13 A, 30 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMS3660SPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDMS3660S |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.2 W, 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.2 W, 2.5 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 8 mOhms, 1.8 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V, +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V, 12 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.7V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1765pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 29nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8 毫欧 @ 13A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | Power56 |
| 其它名称 | FDMS3660SFSTR |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单位重量 | 171 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 封装/箱体 | Power 56-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/fairchild-cloud-systems-computing/4301 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 13A，30A |
| 系列 | FDMS3660 |
| 配置 | Dual |
