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  • 型号: FDMS36101L_F085
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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FDMS36101L_F085产品简介:

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产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 100V 38A 8-MLPMOSFET N-Channel Power Trench MOSFET 100V, 38A, 26m

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

38 A

Id-连续漏极电流

38 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMS36101L_F085PowerTrench®

数据手册

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产品型号

FDMS36101L_F085

Pd-PowerDissipation

94 W

Pd-功率耗散

94 W

Qg-GateCharge

70 nC

Qg-栅极电荷

70 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

18 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

18 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

1.84 V

Vgsth-栅源极阈值电压

1.84 V

上升时间

7 ns

下降时间

3 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3945pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

84nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

26 毫欧 @ 20A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

Power56

其它名称

FDMS36101L_F085CT

典型关闭延迟时间

15 ns

功率-最大值

94W

包装

剪切带 (CT)

单位重量

172.800 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

-

封装/箱体

Power-56-8

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

38A (Tc)

系列

FDMS36101L

配置

Single

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