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  • 型号: FDMS3606AS
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDMS3606AS由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMS3606AS价格参考。Fairchild SemiconductorFDMS3606AS封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDMS3606AS参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMS3606AS 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET 2N-CH 30V 13A/27A PWR56MOSFET 30V Asymtrc Dual NCh PowerTrench MOSFET

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 N 沟道(双)非对称型

Id-ContinuousDrainCurrent

13 A

Id-连续漏极电流

13 A, 27 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMS3606ASPowerTrench®

数据手册

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产品型号

FDMS3606AS

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

2.5 W

Pd-功率耗散

2.5 W

Qg-GateCharge

59 nC, 27 nC

Qg-栅极电荷

59 nC, 27 nC

RdsOn-漏源导通电阻

8 mOhms, 1.9 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

2 V, 1.8 V

Vgsth-栅源极阈值电压

2 V, 1.8 V

上升时间

2.5 ns, 5.5 ns

下降时间

2.2 ns, 3.4 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.7V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1695pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

29nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

8 毫欧 @ 13A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

Power56

其它名称

FDMS3606ASCT

典型关闭延迟时间

20 ns, 36 ns

功率-最大值

1W

包装

剪切带 (CT)

单位重量

90 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-PowerTDFN

封装/箱体

Power 56-8

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

61 S, 154 S

漏源极电压(Vdss)

30V

特色产品

http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/fairchild-cloud-systems-computing/4301

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

13A,27A

系列

FDMS3606

配置

Dual

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