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  • 型号: FDMS3602S
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FDMS3602S产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDMS3602S由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMS3602S价格参考。Fairchild SemiconductorFDMS3602S封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 25V 15A,26A 1W 表面贴装 Power56。您可以下载FDMS3602S参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMS3602S 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 25V DUAL POWER56MOSFET 25V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

15 A

Id-连续漏极电流

15 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMS3602SPowerTrench®

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产品型号

FDMS3602S

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

2.5 W

Pd-功率耗散

2.5 W

Qg-GateCharge

19 nC, 45 nC

Qg-栅极电荷

19 nC, 45 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

5.6 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

5.6 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

25 V

Vds-漏源极击穿电压

25 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

2 nS, 4.2 nS

下降时间

1.8 nS, 3.2 nS

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1680pF @ 13V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

27nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

5.6 毫欧 @ 15A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

Power56

其它名称

FDMS3602SCT

典型关闭延迟时间

19 nS, 31 nS

功率-最大值

1W

包装

剪切带 (CT)

单位重量

90 mg

商标

Fairchild Semiconductor

商标名

Power Stage

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-PowerTDFN

封装/箱体

Power 56-8

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

67 S, 132 S

漏源极电压(Vdss)

25V

特色产品

http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/fairchild-cloud-systems-computing/4301

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

15A,26A

系列

FDMS3602

配置

Dual Asymmetric Triple Drain Triple Source

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