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  • 型号: FDMS3572
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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FDMS3572产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDMS3572由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMS3572价格参考。Fairchild SemiconductorFDMS3572封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 80V 8.8A(Ta),22A(Tc) 2.5W(Ta),78W(Tc) 8-MLP (5x6), Power56。您可以下载FDMS3572参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMS3572 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 80V 8.8A POWER56MOSFET 80V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

8.8 A

Id-连续漏极电流

8.8 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMS3572UltraFET™

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产品型号

FDMS3572

Pd-PowerDissipation

2.5 W

Pd-功率耗散

2.5 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

16.5 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

16.5 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

80 V

Vds-漏源极击穿电压

80 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

13 ns

下降时间

12 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2490pF @ 40V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

40nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

16.5 毫欧 @ 8.8A,10V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

Power56

其它名称

FDMS3572CT

典型关闭延迟时间

24 ns

功率-最大值

2.5W

包装

剪切带 (CT)

单位重量

231 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-MLP,Power56

封装/箱体

MLP-8

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

80V

特色产品

http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/fairchild-cloud-systems-computing/4301

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

8.8A (Ta), 22A (Tc)

系列

FDMS3572

通道模式

Enhancement

配置

Single Quad Drain Triple Source

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