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  • 型号: FDMS2506SDC
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDMS2506SDC由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMS2506SDC价格参考。Fairchild SemiconductorFDMS2506SDC封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDMS2506SDC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMS2506SDC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 25V 39A POWER56MOSFET 25V N-Chan Dual Cool PowerTrench SyncFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

49 A

Id-连续漏极电流

49 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMS2506SDCDual Cool™, PowerTrench®, SyncFET™

数据手册

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产品型号

FDMS2506SDC

Pd-PowerDissipation

89 W

Pd-功率耗散

89 W

Qg-GateCharge

30 nC

Qg-栅极电荷

30 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

1.45 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

1.45 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

25 V

Vds-漏源极击穿电压

25 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

1.7 V

Vgsth-栅源极阈值电压

1.7 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

5945pF @ 13V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

93nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.45 毫欧 @ 30A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

Power56

其它名称

FDMS2506SDCDKR

功率-最大值

3.3W

包装

Digi-Reel®

单位重量

90 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-PQFN,Power56

封装/箱体

Power 56-8

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

171 S

漏源极电压(Vdss)

25V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

39A (Ta), 49A (Tc)

系列

FDMS2506SDC

配置

Dual

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