ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > FDMS039N08B
Datasheet下载- 型号： FDMS039N08B
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDMS039N08B由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMS039N08B价格参考。Fairchild SemiconductorFDMS039N08B封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 80V 19.4A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），104W（Tc） 8-PQFN（5x6）。您可以下载FDMS039N08B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDMS039N08B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的FDMS039N08B是一款增强型N沟道MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管），具有低导通电阻和高开关速度，适用于多种电力电子应用。以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 电源管理 FDMS039N08B常用于开关电源（SMPS）的设计中，尤其是在DC-DC转换器、AC-DC适配器等场合。其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少传导损耗，提高效率，特别适合需要高效能和小尺寸设计的应用，如笔记本电脑充电器、手机快充适配器等。 2. 电机驱动 在小型电机驱动电路中，FDMS039N08B可以用作功率开关，控制电机的启动、停止和调速。它能够承受较大的电流波动，并且具备快速的开关特性，适用于无刷直流电机（BLDC）、步进电机等驱动系统，广泛应用于电动工具、家用电器等领域。 3. 电池管理系统（BMS） FDMS039N08B可用于电池保护电路中，作为主开关或负载开关，实现过流、短路和过温保护功能。它能够快速响应异常情况，切断电流路径，确保电池的安全性和可靠性，适用于电动汽车、便携式电子设备等场合。 4. LED驱动 在大功率LED照明系统中，FDMS039N08B可以用于恒流源电路，精确控制LED的工作电流，确保亮度稳定并延长LED的使用寿命。它还支持PWM调光，满足不同亮度调节需求，适用于路灯、汽车前照灯等场景。 5. 工业自动化 在工业控制系统中，FDMS039N08B可用于各种传感器接口、执行器驱动以及信号隔离电路。它的高可靠性和低功耗特性使其成为工业级应用的理想选择，如PLC（可编程逻辑控制器）、伺服电机控制等。 总之，FDMS039N08B凭借其出色的电气性能和广泛的适用性，在多个领域中发挥着重要作用，特别是在对效率、体积和成本有严格要求的应用中表现尤为突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 80V 19.4A POWER56MOSFET FPS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 19.4 A |
| Id-连续漏极电流 | 19.4 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMS039N08BPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDMS039N08B |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.2 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.2 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 80 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 80 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7600pF @ 40V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 100nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.9 毫欧 @ 50A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | Power56 |
| 其它名称 | FDMS039N08BDKR |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 90 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 3.2 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 封装/箱体 | Power 56-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 80 V |
| 漏极连续电流 | 19.4 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 80V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/fairchild-cloud-systems-computing/4301 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 19.4A （Ta）， 100A （Tc） |
| 系列 | FDMS039N08B |
| 配置 | Single |
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