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型号： FDMS030N06B
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FDMS030N06B由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMS030N06B价格参考。Fairchild SemiconductorFDMS030N06B封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 60V 22.1A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），104W（Tc） 8-PQFN（5x6）。您可以下载FDMS030N06B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDMS030N06B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDMS030N06B 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的一款单通道 MOSFET 晶体管。它属于增强型 N 通道金属氧化物场效应晶体管 (MOSFET)，具有低导通电阻和高开关速度，适用于多种电力电子应用场景。

 主要特点：
- 低导通电阻：该器件的导通电阻（RDS(on)）非常低，通常在几毫欧级别，这有助于减少传导损耗，提高效率。
- 高耐压：额定电压为 60V，适合中低压应用。
- 快速开关特性：具备快速的开关速度，能够有效降低开关损耗，适用于高频开关应用。
- 低栅极电荷：低栅极电荷使得驱动更加容易，减少了驱动功耗。
- 小封装：采用紧凑的封装形式，如 DPAK 或更小的封装，节省了电路板空间。

 应用场景：

1. 电源管理：
   - DC-DC 转换器：作为同步整流器或主开关使用，提高转换效率，减少发热。
   - 线性稳压器：用于低压差线性稳压器 (LDO) 中，提供高效的电流控制。

2. 电机驱动：
   - 无刷直流电机 (BLDC)：用于驱动电路中的高低边开关，实现高效且可靠的电机控制。
   - 步进电机：用于微步进驱动电路，提升电机运行的平滑性和精度。

3. 电池管理系统 (BMS)：
   - 充放电保护：用于电池组的充放电路径控制，确保电池安全和延长寿命。
   - 负载开关：用于智能电源分配，实现对不同负载的精确控制。

4. 工业自动化：
   - PLC 输出模块：用于可编程逻辑控制器 (PLC) 的输出端口，控制外部设备的开关状态。
   - 传感器接口：用于传感器信号调理电路，提供高可靠性的信号传输。

5. 消费电子：
   - 智能手机和平板电脑：用于充电电路、音频放大器等，提供高效能和小型化设计。
   - 笔记本电脑：用于电源适配器和内部电源管理单元，提升系统的整体性能。

总之，FDMS030N06B 凭借其优异的电气特性和紧凑的封装，广泛应用于各种需要高效功率控制和低损耗的场合，特别是在便携式设备、工业控制和汽车电子等领域表现出色。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
ChannelMode	Depletion
描述	MOSF N CH 60V 22.1A POWER56MOSFET NCh 80V 120A 5.3mOhm PowerTrench MOSFET
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	100 A
Id-连续漏极电流	100 A
品牌	Fairchild Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMS030N06BPowerTrench®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	FDMS030N06B
Pd-PowerDissipation	104 W
Pd-功率耗散	104 W
Qg-GateCharge	75 nC
Qg-栅极电荷	75 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	2.4 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	2.4 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	60 V
Vds-漏源极击穿电压	60 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	3.3 V
Vgsth-栅源极阈值电压	3.3 V
上升时间	20 ns
下降时间	16 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	7560pF @ 30V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	75nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	3 毫欧 @ 50A，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	8-PQFN（5X6），Power56
其它名称	FDMS030N06BDKR
典型关闭延迟时间	52 ns
功率-最大值	2.5W
包装	Digi-Reel®
单位重量	90 mg
商标	Fairchild Semiconductor
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	2.4 mOhms
封装	Reel
封装/外壳	8-PowerTDFN
封装/箱体	Power-56-8
工厂包装数量	3000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
正向跨导-最小值	119 S
汲极/源极击穿电压	60 V
漏极连续电流	100 A
漏源极电压(Vdss)	60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	22.1A （Ta）， 100A （Tc）
系列	FDMS030N06B
通道模式	Depletion
配置	Single Quad Drain Triple Source