Datasheet下载- 型号： FDMQ86530L
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDMQ86530L由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMQ86530L价格参考￥8.53-￥8.53。Fairchild SemiconductorFDMQ86530L封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDMQ86530L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDMQ86530L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET 4N-CH 60V 8A MLP4.5X5MOSFET 60V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 4 个 N 通道（H 桥） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 8 A |
| Id-连续漏极电流 | 8 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMQ86530LGreenBridge™ PowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDMQ86530L |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 22 W |
| Pd-功率耗散 | 22 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 17.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 17.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2295pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 33nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 17.5 毫欧 @ 8A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 12-MLP（5x4.5） |
| 其它名称 | FDMQ86530LCT |
| 功率-最大值 | 1.9W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 242.300 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 12-WDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | MLP-12 4.5x5 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/fdmq86530l-quadmosfet/50074 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8A |
| 系列 | FDMQ86530 |
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