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详细数据请看参考数据手册

型号： FDME510PZT
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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FDME510PZT产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FDME510PZT由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDME510PZT价格参考。Fairchild SemiconductorFDME510PZT封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 P 沟道 20V 6A（Ta） 2.1W（Ta） MicroFet 1.6x1.6 薄型。您可以下载FDME510PZT参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDME510PZT 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET P-CH 20V 6-MICROFETMOSFET -20V P-Channel PowerTrench
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET P 通道，金属氧化物
Id-连续漏极电流	- 5 A
品牌	Fairchild Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDME510PZTPowerTrench®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	FDME510PZT
Pd-PowerDissipation	1.4 W
Pd-功率耗散	1.4 W
Qg-GateCharge	16 nC
Qg-栅极电荷	16 nC
RdsOn-漏源导通电阻	31 mOhms
Vds-漏源极击穿电压	- 20 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	8 V
Vgs-栅源极击穿电压	8 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	- 0.5 V
Vgsth-栅源极阈值电压	- 0.5 V
上升时间	10 ns
下降时间	54 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1490pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	22nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	37 毫欧 @ 6A，4.5V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	6-MicroFET（1.6x1.6）
其它名称	FDME510PZTDKR
典型关闭延迟时间	93 ns
功率-最大值	700mW
包装	Digi-Reel®
单位重量	30 mg
商标	Fairchild Semiconductor
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	31 mOhms
封装	Reel
封装/外壳	6-WDFN 裸露焊盘
封装/箱体	MicroFET-6 1.6x1.6 Thin
工厂包装数量	5000
晶体管极性	P-Channel
标准包装	1
正向跨导-最小值	21 S
汲极/源极击穿电压	- 20 V
漏极连续电流	- 5 A
漏源极电压(Vdss)	20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	6A （Ta）
系列	FDME510PZT