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Datasheet下载- 型号： FDMC89521L
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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FDMC89521L产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDMC89521L由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMC89521L价格参考。Fairchild SemiconductorFDMC89521L封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 60V 8.2A（Ta） 1.9W (Ta），16W (Tc） 表面贴装 8-Power33（3x3）。您可以下载FDMC89521L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDMC89521L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 60V 8.2A POWER33MOSFET 60V Dual N-Channel Power Trench MOSFET |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 N 沟道（非对称桥） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 8.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 8.2 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMC89521LPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDMC89521L |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 1.9 W |
| Pd-功率耗散 | 1.9 W |
| Qg-GateCharge | 7.9 nC, 17 nC |
| Qg-栅极电荷 | 7.9 nC, 17 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 17 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 17 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1635pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 24nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 17 毫欧 @ 8.2A， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-MLP（3.3X3.3），Power33 |
| 其它名称 | FDMC89521LCT |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 196 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 17 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
| 封装/箱体 | Power 33-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 8.2 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8.2A |
| 系列 | FDMC89521 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
