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FDMC89521L产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDMC89521L由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMC89521L价格参考。Fairchild SemiconductorFDMC89521L封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 60V 8.2A(Ta) 1.9W (Ta),16W (Tc) 表面贴装 8-Power33(3x3)。您可以下载FDMC89521L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMC89521L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDMC89521L是由ON Semiconductor(现为安森美半导体)生产的一款晶体管 - FET,MOSFET阵列。这款器件主要应用于需要高效功率管理和开关操作的电子系统中,具体应用场景如下: 1. 电源管理 FDMC89521L常用于电源管理系统中,特别是在便携式设备、消费电子产品和工业应用中。它能够提供高效的电压转换和电流控制,适用于DC-DC转换器、线性稳压器等电路。其低导通电阻(Rds(on))特性有助于减少功耗,提高电源转换效率。 2. 电机驱动 在电机驱动应用中,FDMC89521L可以作为H桥或半桥配置中的开关元件,用于控制电机的正反转、速度调节等功能。其高耐压能力和快速开关速度使其适用于各种类型的电机驱动,如步进电机、无刷直流电机等。 3. 负载切换 该器件也可用于负载切换电路,例如在智能家电、汽车电子和通信设备中。通过精确控制负载的通断,FDMC89521L可以实现对不同负载的有效管理,确保系统的稳定性和安全性。 4. 电池保护 在电池管理系统中,FDMC89521L可用于电池充放电保护电路,防止过充、过放、短路等异常情况的发生。其低静态电流特性有助于延长电池寿命,同时保证系统的可靠性。 5. 信号调理 FDMC89521L还可以用于信号调理电路中,作为开关或缓冲器,帮助处理模拟信号或数字信号。其快速响应时间和低噪声特性使得它在精密测量和控制系统中有广泛的应用。 总结 FDMC89521L凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于电源管理、电机驱动、负载切换、电池保护和信号调理等领域。它不仅能满足高性能要求,还能有效降低系统功耗,提升整体效率。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET 2N-CH 60V 8.2A POWER33MOSFET 60V Dual N-Channel Power Trench MOSFET |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 N 沟道(非对称桥) |
Id-ContinuousDrainCurrent | 8.2 A |
Id-连续漏极电流 | 8.2 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMC89521LPowerTrench® |
数据手册 | |
产品型号 | FDMC89521L |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 1.9 W |
Pd-功率耗散 | 1.9 W |
Qg-GateCharge | 7.9 nC, 17 nC |
Qg-栅极电荷 | 7.9 nC, 17 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 17 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 17 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1635pF @ 30V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 24nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 17 毫欧 @ 8.2A, 10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-MLP(3.3X3.3),Power33 |
其它名称 | FDMC89521LCT |
功率-最大值 | 800mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
单位重量 | 196 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 17 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
封装/箱体 | Power 33-8 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
汲极/源极击穿电压 | 60 V |
漏极连续电流 | 8.2 A |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 8.2A |
系列 | FDMC89521 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Dual |