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  • 型号: FDMC8651
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDMC8651由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMC8651价格参考。Fairchild SemiconductorFDMC8651封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDMC8651参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMC8651 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 30V 15A POWER33MOSFET 30V N-Channel Power Trench

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

15 A

Id-连续漏极电流

15 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMC8651PowerTrench®

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产品型号

FDMC8651

Pd-PowerDissipation

2.3 W

Pd-功率耗散

2.3 W

Qg-GateCharge

19.4 nC

Qg-栅极电荷

19.4 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

6.1 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

6.1 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 12 V

Vgs-栅源极击穿电压

12 V

上升时间

9 ns

下降时间

6 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3365pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

27.2nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

6.1 毫欧 @ 15A,4.5V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

Power33

其它名称

FDMC8651DKR

典型关闭延迟时间

35 ns

功率-最大值

2.3W

包装

Digi-Reel®

单位重量

32.130 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-PQFN,Power33

封装/箱体

MLP-8 3.3X3.3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

15A (Ta), 20A (Tc)

系列

FDMC8651

通道模式

Enhancement

配置

Single Quad Drain Triple Source

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