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  • 型号: FDMC86340
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDMC86340由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMC86340价格参考。Fairchild SemiconductorFDMC86340封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDMC86340参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMC86340 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 80V 48A POWER33MOSFET 80V N Chan Shielded Gate Power Trench

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

48 A

Id-连续漏极电流

48 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMC86340PowerTrench®

数据手册

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产品型号

FDMC86340

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

54 W

Pd-功率耗散

54 W

Qg-GateCharge

53 nC

Qg-栅极电荷

53 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

8.5 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

8.5 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

80 V

Vds-漏源极击穿电压

80 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

4 V

Vgsth-栅源极阈值电压

4 V

上升时间

16 ns

下降时间

10 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3885pF @ 40V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

53nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

6.5 毫欧 @ 14A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

Power33

其它名称

FDMC86340DKR

典型关闭延迟时间

37 ns

功率-最大值

54W

包装

Digi-Reel®

单位重量

152.700 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-PowerWDFN

封装/箱体

Power 33-8

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

36 S

漏源极电压(Vdss)

80V

特色产品

http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/fdmc86340-80-v-nchannel-shielded-gate-power-trench-mosfet/50438

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

14A (Ta), 48A (Tc)

系列

FDMC86340

配置

Single

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