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Datasheet下载- 型号： FDMC86261P
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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FDMC86261P产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDMC86261P由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMC86261P价格参考。Fairchild SemiconductorFDMC86261P封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 150V 2.7A（Ta），9A（Tc） 2.3W（Ta），40W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）。您可以下载FDMC86261P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDMC86261P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET P-CH 150V 2.7A 8MLPMOSFET -150 P-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.7 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.7 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMC86261PPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDMC86261P |
| Pd-PowerDissipation | 40 W |
| Pd-功率耗散 | 40 W |
| Qg-GateCharge | 24 nC |
| Qg-栅极电荷 | 24 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 269 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 269 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 150 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 150 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 4 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 20 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1360pF @ 75V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 24nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 160毫欧 @ 2.4A， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-MLP（3.3x3.3） |
| 其它名称 | FDMC86261PDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 33 ns |
| 功率-最大值 | 2.3W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 210 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
| 封装/箱体 | MLP-8 3.3x3.3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.7A （Ta）， 9A （Tc） |
| 系列 | FDMC86261P |
