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型号： FDMC86102LZ
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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FDMC86102LZ产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FDMC86102LZ由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMC86102LZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDMC86102LZ封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 100V 7A (Ta), 18A (Tc) 2.3W (Ta), 41W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)。您可以下载FDMC86102LZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDMC86102LZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 100V 7A 8MLPMOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	7 A
Id-连续漏极电流	7 A
品牌	Fairchild Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMC86102LZPowerTrench®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	FDMC86102LZ
Pd-PowerDissipation	41 W
Pd-功率耗散	41 W
Qg-GateCharge	15.3 nC
Qg-栅极电荷	15.3 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	24 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	24 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	100 V
Vds-漏源极击穿电压	100 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	1.6 V
Vgsth-栅源极阈值电压	1.6 V
上升时间	2.3 ns
下降时间	2.5 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	2.2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1290pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	22nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	24 毫欧 @ 6.5A，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	8-MLP（3.3X3.3），Power33
其它名称	FDMC86102LZ-ND FDMC86102LZTR
典型关闭延迟时间	19 ns
功率-最大值	2.3W
包装	带卷（TR）
单位重量	210 mg
商标	Fairchild Semiconductor
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	8-WDFN 裸露焊盘
封装/箱体	MLP-8
工厂包装数量	3000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	3,000
正向跨导-最小值	24 S
漏源极电压(Vdss)	100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	7A （Ta）， 18A （Tc）
系列	FDMC86102
配置	Single