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  • 型号: FDMC8554
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FDMC8554产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDMC8554由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMC8554价格参考。Fairchild SemiconductorFDMC8554封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 20V 16.5A(Tc) 2W(Ta),41W(Tc) 8-MLP(3.3x3.3)。您可以下载FDMC8554参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMC8554 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 20V 16.5A POWER33MOSFET 20V N-CH PowerTrench MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

20 A

Id-连续漏极电流

20 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMC8554PowerTrench®

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产品型号

FDMC8554

PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

2 W

Pd-功率耗散

2 W

Qg-GateCharge

24 nC, 44 nC

Qg-栅极电荷

24 nC, 44 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

3.6 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

3.6 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vds-漏源极击穿电压

20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

10 ns

下降时间

7 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3380pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

62nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

5 毫欧 @ 16.5A,10V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-Power33(3x3)

其它名称

FDMC8554TR

典型关闭延迟时间

32 ns

功率-最大值

2W

包装

带卷 (TR)

单位重量

210 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-PowerVDFN

封装/箱体

MLP-8 3.3X3.3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

正向跨导-最小值

62 S

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

16.5A (Tc)

系列

FDMC8554

通道模式

Enhancement

配置

Single Quad Drain Triple Source

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