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  • 型号: FDMC8200S_F106
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDMC8200S_F106由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMC8200S_F106价格参考。Fairchild SemiconductorFDMC8200S_F106封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 30V 6A,8.5A 700mW,1W 表面贴装 8-Power33(3x3)。您可以下载FDMC8200S_F106参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMC8200S_F106 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDMC8200S_F106 是由 ON Semiconductor 生产的晶体管 - FET,MOSFET 阵列。该型号具有低导通电阻、高开关速度和低栅极电荷等特性,使其适用于多种应用场景,尤其是在需要高效能和小尺寸设计的情况下。

 应用场景

1. 电源管理:
   - FDMC8200S_F106 可用于各种电源管理电路中,如 DC-DC 转换器、线性稳压器和负载开关。其低导通电阻(Rds(on))有助于减少传导损耗,提高整体效率。
   - 在电池供电设备中,该器件可以有效延长电池寿命,因为它在开关状态下表现出较低的功耗。

2. 电机控制:
   - 该 MOSFET 阵列适合用于小型电机驱动器,如步进电机、无刷直流电机(BLDC)和有刷直流电机。它能够快速切换,确保电机运行平稳且高效。
   - 在智能家居设备、消费电子产品和工业自动化系统中,FDMC8200S_F106 可以实现精确的电机控制,同时保持低噪声和低发热。

3. 信号切换:
   - 在通信设备、音频设备和其他需要高频信号切换的应用中,FDMC8200S_F106 的高开关速度和低栅极电荷使其成为理想选择。
   - 它可以在高速数据传输线路中作为开关使用,确保信号完整性并减少延迟。

4. 保护电路:
   - 该器件可用于过流保护、短路保护和热关断等保护电路中。其内置的保护功能可以防止电路因异常情况而损坏,提高系统的可靠性和安全性。
   - 在便携式电子设备中,FDMC8200S_F106 可以提供有效的电源管理和保护机制,确保设备在各种工作条件下都能稳定运行。

5. 消费电子:
   - 在智能手机、平板电脑、笔记本电脑等消费电子产品中,FDMC8200S_F106 可用于充电管理、背光驱动和传感器接口等模块,帮助实现紧凑的设计和高效的性能。

总之,FDMC8200S_F106 凭借其优异的电气特性和紧凑的封装形式,广泛应用于各类高效能、小尺寸需求的电子产品中,尤其适合对成本敏感且要求高性能的应用场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH DUAL 30V 8MLP

产品分类

FET - 阵列

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

品牌

Fairchild Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

FDMC8200S_F106

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

PowerTrench®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

660pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

10nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

20 毫欧 @ 6A,10V

供应商器件封装

Power33

其它名称

FDMC8200S_F106DKR

功率-最大值

700mW, 1W

包装

Digi-Reel®

安装类型

表面贴装

封装/外壳

8-PowerWDFN

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

6A,8.5A

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