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FDMC8200S产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDMC8200S由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMC8200S价格参考。Fairchild SemiconductorFDMC8200S封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 30V 6A,8.5A 700mW,1W 表面贴装 8-Power33(3x3)。您可以下载FDMC8200S参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMC8200S 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8MLPMOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
Id-ContinuousDrainCurrent | 18 A |
Id-连续漏极电流 | 18 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMC8200SPowerTrench® |
数据手册 | |
产品型号 | FDMC8200S |
Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
Pd-功率耗散 | 2.5 W |
Qg-GateCharge | 7.5 nC, 15.7 nC |
Qg-栅极电荷 | 7.5 nC, 15.7 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 20 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 20 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 660pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 20 毫欧 @ 6A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-MLP(3.3X3.3),Power33 |
其它名称 | FDMC8200SDKR |
功率-最大值 | 700mW, 1W |
包装 | Digi-Reel® |
单位重量 | 186 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-WDFN 裸露焊盘 |
封装/箱体 | Power 33-8 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 43 S |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 6A,8.5A |
系列 | FDMC8200 |
配置 | Dual |