Datasheet下载- 型号： FDMC8200
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDMC8200由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMC8200价格参考。Fairchild SemiconductorFDMC8200封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDMC8200参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDMC8200 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDMC8200 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列，广泛应用于需要高效开关和功率管理的场景。以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 电源管理 - 负载开关：FDMC8200 的低导通电阻（Rds(on)）特性使其非常适合用作负载开关，用于控制电路中不同负载的供电。 - DC-DC 转换器：在降压或升压转换器中，MOSFET 阵列可以用作同步整流器，提高效率并减少能量损耗。 - 电池保护：通过快速切换功能，FDMC8200 可以防止过流、短路或反向电流对电池造成损害。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制：FDMC8200 可用于驱动小型直流电机，实现正转、反转以及速度调节等功能。 - H 桥电路：在 H 桥设计中，双通道 MOSFET 阵列可以分别控制电机的两个方向运动。 3. 信号切换 - 多路复用/解复用：FDMC8200 可以用作信号切换器，在多个输入/输出之间进行选择性连接。 - 音频信号切换：在音频设备中，该器件可用于切换不同的音频源，同时保持低噪声性能。 4. 消费电子 - 便携式设备：如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理模块。 - USB 充电保护：在 USB 充电器中，FDMC8200 可以提供过流保护和热关断功能，确保充电安全。 5. 工业应用 - 传感器接口：在工业自动化系统中，MOSFET 阵列可用于控制传感器的供电或信号传输。 - 继电器替代：由于其快速开关特性和长寿命，FDMC8200 可以替代传统机械继电器，用于频繁开关的场景。 6. 汽车电子 - 车内照明控制：用于控制 LED 灯或其他车内照明系统的开关。 - 座椅加热/通风控制：通过精确的电流控制，实现座椅加热或通风功能的调节。 总结 FDMC8200 凭借其低导通电阻、高开关速度和紧凑封装的特点，适用于多种需要高效功率控制和信号切换的应用场景。无论是消费电子、工业设备还是汽车电子领域，这款 MOSFET 阵列都能提供可靠的性能和灵活性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 8A/12A POWER33MOSFET DUAL N-CHANNEL PowerTrench |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 18 A |
| Id-连续漏极电流 | 18 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMC8200PowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDMC8200 |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 1.9 W, 2.2 W |
| Pd-功率耗散 | 1.9 W, 2.2 W |
| Qg-GateCharge | 7.3 nC, 16 nC |
| Qg-栅极电荷 | 7.3 nC, 16 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 16 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 16 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 3.1 ns, 4 ns |
| 下降时间 | 1.3 ns, 6 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 660pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 20 毫欧 @ 6A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-Power33（3x3） |
| 其它名称 | FDMC8200CT |
| 典型关闭延迟时间 | 35 ns, 38 ns |
| 功率-最大值 | 700mW，900mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 186 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 封装/箱体 | MLP-8 3.3X3.3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 29 S, 56 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/Fairchild/FDMC8200.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8A，12A |
| 系列 | FDMC8200 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
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