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  • 型号: FDMC7692S
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FDMC7692S产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDMC7692S由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMC7692S价格参考。Fairchild SemiconductorFDMC7692S封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 12.5A(Ta),18A(Tc) 2.3W(Ta),27W(Tc) 8-MLP(3.3x3.3)。您可以下载FDMC7692S参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMC7692S 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 30V 8-MLPMOSFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

18 A

Id-连续漏极电流

18 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMC7692SPowerTrench®, SyncFET™

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产品型号

FDMC7692S

Pd-PowerDissipation

2.3 W

Pd-功率耗散

2.3 W

Qg-栅极电荷

8 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

10.8 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

10.8 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

上升时间

3 ns

下降时间

3 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1385pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

23nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

9.3 毫欧 @ 12.5A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-MLP(3.3x3.3)

其它名称

FDMC7692SCT

典型关闭延迟时间

19 ns

功率-最大值

2.3W

包装

剪切带 (CT)

单位重量

200 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-MLP,Power33

封装/箱体

MLP-8

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

62 S

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

12.5A (Ta), 18A (Tc)

系列

FDMC7692

配置

Single

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