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  • 型号: FDMC7672S
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDMC7672S由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMC7672S价格参考。Fairchild SemiconductorFDMC7672S封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 14.8A(Ta),18A(Tc) 2.3W(Ta),36W(Tc) 8-MLP(3.3x3.3)。您可以下载FDMC7672S参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMC7672S 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 30V 8-MLPMOSFET 30V/20A N-Chan PowerTrench SyncFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

14.8 A

Id-连续漏极电流

14.8 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMC7672SPowerTrench®, SyncFET™

数据手册

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产品型号

FDMC7672S

Pd-PowerDissipation

36 W

Pd-功率耗散

36 W

Qg-GateCharge

30 nC

Qg-栅极电荷

30 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

5 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

5 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

4 ns

下降时间

3 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2520pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

42nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

6 毫欧 @ 14.8A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-MLP(3.3x3.3)

其它名称

FDMC7672SDKR

典型关闭延迟时间

26 ns

功率-最大值

2.3W

包装

Digi-Reel®

单位重量

200 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-WDFN 裸露焊盘

封装/箱体

MLP-8 3.3x3.3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

78 S

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

14.8A (Ta), 18A (Tc)

系列

FDMC7672

配置

Single

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