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  • 型号: FDMC6890NZ
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FDMC6890NZ产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDMC6890NZ由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMC6890NZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDMC6890NZ封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 20V 4A 1.92W,1.78W 表面贴装 MicroFET 3x3mm。您可以下载FDMC6890NZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMC6890NZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET 2N-CH 20V 4A POWER33MOSFET 20V Dual N-Ch PowerTrench MOSFET

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

4 A

Id-连续漏极电流

4 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMC6890NZPowerTrench®

数据手册

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产品型号

FDMC6890NZ

Pd-PowerDissipation

1.92 W

Pd-功率耗散

1.92 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

68 mOhms at 4.5 V at Q1, 100 mOhms at 4.5 V at Q2

RdsOn-漏源导通电阻

68 mOhms, 100 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vds-漏源极击穿电压

20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 12 V

Vgs-栅源极击穿电压

12 V

上升时间

13 ns, 12 ns

下降时间

13 ns, 12 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

270pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

3.4nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

68 毫欧 @ 4A,4.5V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

MicroFET 3x3mm

其它名称

FDMC6890NZDKR

典型关闭延迟时间

10 ns, 7 ns

功率-最大值

1.92W, 1.78W

包装

Digi-Reel®

单位重量

9 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-MLP,Power33

封装/箱体

Power 33-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

10 S, 7 S

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

4A

系列

FDMC6890NZ

通道模式

Enhancement

配置

Dual

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