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FDMC5614P产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDMC5614P由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMC5614P价格参考。Fairchild SemiconductorFDMC5614P封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 60V 5.7A(Ta),13.5A(Tc) 2.1W(Ta),42W(Tc) 8-MLP(3.3x3.3)。您可以下载FDMC5614P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMC5614P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDMC5614P 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。其主要应用场景包括: 1. 电源管理: FDMC5614P 具有低导通电阻(Rds(on))和高电流处理能力,适用于各种电源管理应用,例如 DC-DC 转换器、开关模式电源(SMPS)、降压/升压转换器等。其高效性能有助于减少功率损耗,提高系统效率。 2. 电机驱动: 该 MOSFET 可用于小型电机驱动电路中,如无人机电机控制、风扇调速、家用电器中的电机控制等。其快速开关特性和低损耗特性使其非常适合高频电机驱动应用。 3. 负载开关: 在消费电子设备(如智能手机、平板电脑、笔记本电脑)中,FDMC5614P 可用作高效的负载开关,用于动态管理不同模块的供电状态,从而降低功耗并延长电池寿命。 4. 电池保护与管理: 该器件适用于锂电池保护电路,用于防止过充、过放、短路等情况。其低导通电阻有助于减少电池充放电过程中的能量损失。 5. 汽车电子: FDMC5614P 的高可靠性和耐用性使其适合汽车电子应用,例如车载信息娱乐系统、电动窗控制、座椅调节、LED 照明驱动等。它能够在严苛的工作环境中保持稳定性能。 6. 信号切换: 在通信设备或工业自动化系统中,该 MOSFET 可用于高速信号切换,确保数据传输的准确性和稳定性。 7. 逆变器与太阳能系统: FDMC5614P 可用于小型逆变器或太阳能微逆变器中,实现高效的电能转换和分配。 总之,FDMC5614P 凭借其出色的电气特性和可靠性,广泛应用于需要高效功率转换和开关控制的场景中,特别适合对能耗敏感的设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 60V 5.7A POWER33MOSFET LOW VOLTAGE |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 13.5 A |
Id-连续漏极电流 | 13.5 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMC5614PPowerTrench® |
数据手册 | |
产品型号 | FDMC5614P |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 2.1 W |
Pd-功率耗散 | 2.1 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 84 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 84 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 11 ns |
下降时间 | 11 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1055pF @ 30V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 100 毫欧 @ 5.7A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-Power33(3x3) |
其它名称 | FDMC5614PCT |
典型关闭延迟时间 | 32 ns |
功率-最大值 | 2.1W |
包装 | 剪切带 (CT) |
单位重量 | 200 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
封装/箱体 | MLP-8 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.7A (Ta), 13.5A (Tc) |
系列 | FDMC5614P |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single Quad Drain Triple Source |