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  • 型号: FDMC5614P
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FDMC5614P产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDMC5614P由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMC5614P价格参考。Fairchild SemiconductorFDMC5614P封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 60V 5.7A(Ta),13.5A(Tc) 2.1W(Ta),42W(Tc) 8-MLP(3.3x3.3)。您可以下载FDMC5614P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMC5614P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 60V 5.7A POWER33MOSFET LOW VOLTAGE

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

13.5 A

Id-连续漏极电流

13.5 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMC5614PPowerTrench®

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产品型号

FDMC5614P

PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

2.1 W

Pd-功率耗散

2.1 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

84 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

84 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 60 V

Vds-漏源极击穿电压

- 60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

11 ns

下降时间

11 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1055pF @ 30V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

20nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

100 毫欧 @ 5.7A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-Power33(3x3)

其它名称

FDMC5614PCT

典型关闭延迟时间

32 ns

功率-最大值

2.1W

包装

剪切带 (CT)

单位重量

200 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-PowerVDFN

封装/箱体

MLP-8

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

5.7A (Ta), 13.5A (Tc)

系列

FDMC5614P

通道模式

Enhancement

配置

Single Quad Drain Triple Source

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