ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > FDMC2523P
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
FDMC2523P产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDMC2523P由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMC2523P价格参考¥询价-¥询价。Fairchild SemiconductorFDMC2523P封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 150V 3A(Tc) 42W(Tc) 8-MLP(3.3x3.3)。您可以下载FDMC2523P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMC2523P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDMC2523P 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类器件。该型号具有低导通电阻(Rds(on))、高开关速度和出色的热性能,适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 - DC-DC 转换器:FDMC2523P 的低导通电阻特性使其非常适合用于高效能的降压或升压 DC-DC 转换电路中,作为主开关管或同步整流管。 - 开关电源 (SMPS):在开关电源设计中,该 MOSFET 可用作功率级开关,提供高效的能量转换。 - 电池充电管理:可用于锂离子电池或其他类型电池的充电电路中,控制充电电流和电压。 2. 电机驱动 - 无刷直流电机 (BLDC):在 BLDC 电机驱动应用中,FDMC2523P 可用于桥式驱动电路,实现高效的电机控制。 - 步进电机驱动:支持步进电机的精确控制,尤其是在需要高频切换的应用场景中。 3. 负载开关 - 负载切换:由于其低导通电阻和快速开关特性,FDMC2523P 可用于负载开关应用中,以实现对不同负载的动态控制。 - 保护电路:可作为过流保护或短路保护开关,确保系统安全运行。 4. 消费电子 - 笔记本电脑适配器:在便携式设备的适配器中,用于提高效率并减少热量生成。 - 智能手机和平板电脑:用于内部电源管理和电池管理系统中。 5. 汽车电子 - 车载电子设备:如车窗升降器、座椅调节器等需要小型高效功率开关的应用。 - LED 驱动:用于驱动汽车内外 LED 灯光系统,提供稳定的电流输出。 6. 工业自动化 - 传感器接口:在工业控制系统中,作为传感器信号的开关或放大元件。 - 继电器替代:利用其固态特性和长寿命优势,替代传统机械继电器。 总结 FDMC2523P 凭借其高性能参数,广泛应用于消费电子、通信设备、工业控制和汽车电子等领域。其低导通电阻和高效率特性,特别适合需要高频切换和低功耗的场景。选择此型号时,需根据具体电路需求匹配合适的驱动电路和散热设计,以充分发挥其性能优势。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 150V 3A MLP 3.3SQMOSFET -150V P-Channel QFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 3 A |
Id-连续漏极电流 | 3 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMC2523PQFET® |
数据手册 | |
产品型号 | FDMC2523P |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 42 W |
Pd-功率耗散 | 42 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.5 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 1.5 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 150 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 150 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 11 ns |
下降时间 | 13 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 270pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.5 欧姆 @ 1.5A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-Power33(3x3) |
其它名称 | FDMC2523PTR |
典型关闭延迟时间 | 19 ns |
功率-最大值 | 42W |
包装 | 带卷 (TR) |
单位重量 | 45 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
封装/箱体 | MLP-8 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
正向跨导-最小值 | 1.4 S |
漏源极电压(Vdss) | 150V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3A (Tc) |
系列 | FDMC2523P |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |