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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDMB2308PZ由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMB2308PZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDMB2308PZ封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDMB2308PZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMB2308PZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET 2P-CH MLP2X3MOSFET Dual Com Drain -20V P-Channel Pwr Trench |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 P 沟道(双)共漏 |
Id-ContinuousDrainCurrent | - 7 A |
Id-连续漏极电流 | - 7 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMB2308PZPowerTrench® |
数据手册 | |
产品型号 | FDMB2308PZ |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 2.2 W |
Pd-功率耗散 | 2.2 W |
Qg-GateCharge | 22 nC |
Qg-栅极电荷 | 22 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 36 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 36 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 0.9 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | - 0.9 V |
上升时间 | 33 ns |
下降时间 | 58 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3030pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 36 毫欧 @ 5.7A, 4.5V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 6-MLP/DFN(2x3) |
其它名称 | FDMB2308PZCT |
典型关闭延迟时间 | 74 ns |
功率-最大值 | 800mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
单位重量 | 12 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
封装/箱体 | MLP-8 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 29 S |
漏源极电压(Vdss) | - |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | - |
系列 | FDMB2308PZ |
配置 | Dual Common Drain |