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  • 型号: FDMB2308PZ
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDMB2308PZ由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMB2308PZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDMB2308PZ封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDMB2308PZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMB2308PZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET 2P-CH MLP2X3MOSFET Dual Com Drain -20V P-Channel Pwr Trench

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 P 沟道(双)共漏

Id-ContinuousDrainCurrent

- 7 A

Id-连续漏极电流

- 7 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMB2308PZPowerTrench®

数据手册

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产品型号

FDMB2308PZ

PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

2.2 W

Pd-功率耗散

2.2 W

Qg-GateCharge

22 nC

Qg-栅极电荷

22 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

36 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

36 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 20 V

Vds-漏源极击穿电压

- 20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

12 V

Vgs-栅源极击穿电压

12 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

- 0.9 V

Vgsth-栅源极阈值电压

- 0.9 V

上升时间

33 ns

下降时间

58 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3030pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

30nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

36 毫欧 @ 5.7A, 4.5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

6-MLP/DFN(2x3)

其它名称

FDMB2308PZCT

典型关闭延迟时间

74 ns

功率-最大值

800mW

包装

剪切带 (CT)

单位重量

12 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-WDFN 裸露焊盘

封装/箱体

MLP-8

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

29 S

漏源极电压(Vdss)

-

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

-

系列

FDMB2308PZ

配置

Dual Common Drain

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