ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > FDMB2307NZ
Datasheet下载- 型号： FDMB2307NZ
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDMB2307NZ由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMB2307NZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDMB2307NZ封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 N 沟道（双）共漏 Mosfet 阵列 800mW 表面贴装 6-MLP（2x3）。您可以下载FDMB2307NZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDMB2307NZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDMB2307NZ是由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的晶体管阵列，属于FET、MOSFET类别。该器件具有多个MOSFET集成在一个封装内，适用于多种应用场景。 应用场景： 1. 电源管理： - FDMB2307NZ常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器等电源管理系统中。其低导通电阻和快速开关特性有助于提高效率，减少功率损耗。 - 适用于笔记本电脑、智能手机充电器、适配器等便携式设备的电源管理模块。 2. 电机控制： - 在小型电机驱动应用中，如风扇、泵、伺服电机等，FDMB2307NZ可以作为驱动电路的一部分，提供高效、可靠的开关控制。 - 特别适合需要频繁启停或调速的电机控制系统。 3. 负载切换： - 用于汽车电子中的负载切换，如车灯、雨刷、座椅加热等。FDMB2307NZ能够承受较高的电流，并且具备良好的热稳定性，确保在恶劣环境下可靠工作。 - 同样适用于工业自动化中的负载切换，如继电器替代方案，减少机械磨损。 4. 信号调理： - 在信号处理电路中，FDMB2307NZ可以用作信号路径的选择开关，实现多路复用或多路分用功能，广泛应用于通信设备、测试仪器等领域。 5. 保护电路： - 用于过流保护、短路保护等电路设计。FDMB2307NZ的快速响应时间和低导通电阻使其能够在检测到异常情况时迅速切断电流，保护下游电路免受损坏。 6. 消费电子产品： - 在智能家居设备、平板电脑、智能手表等消费电子产品中，FDMB2307NZ可用于电池管理、背光驱动、音频放大等功能模块，提升产品的性能和可靠性。 总之，FDMB2307NZ凭借其优异的电气特性和紧凑的封装形式，在各类电子系统中扮演着重要角色，特别是在需要高效、可靠开关操作的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 6-MLPMOSFET 20V 2xCommon Drn Nch PowerTrench MOSFET |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 N 沟道（双）共漏 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 18 A |
| Id-连续漏极电流 | 18 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMB2307NZPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDMB2307NZ |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.2 W |
| Pd-功率耗散 | 2.2 W |
| Qg-GateCharge | 28 nC |
| Qg-栅极电荷 | 28 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 16.5 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.5 V |
| 上升时间 | 34 ns |
| 下降时间 | 17 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 28nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | - |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-MLP |
| 其它名称 | FDMB2307NZFSTR |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单位重量 | 12 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | MLP-6 2x3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极连续电流 | 18 A |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | - |
| 系列 | FDMB2307NZ |
| 配置 | Dual Common Drain |
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