ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > FDMB2307NZ
Datasheet下载- 型号： FDMB2307NZ
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDMB2307NZ由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMB2307NZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDMB2307NZ封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 N 沟道（双）共漏 Mosfet 阵列 800mW 表面贴装 6-MLP（2x3）。您可以下载FDMB2307NZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDMB2307NZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 6-MLPMOSFET 20V 2xCommon Drn Nch PowerTrench MOSFET |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 N 沟道（双）共漏 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 18 A |
| Id-连续漏极电流 | 18 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMB2307NZPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDMB2307NZ |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.2 W |
| Pd-功率耗散 | 2.2 W |
| Qg-GateCharge | 28 nC |
| Qg-栅极电荷 | 28 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 16.5 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.5 V |
| 上升时间 | 34 ns |
| 下降时间 | 17 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 28nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | - |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-MLP |
| 其它名称 | FDMB2307NZFSTR |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单位重量 | 12 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | MLP-6 2x3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极连续电流 | 18 A |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | - |
| 系列 | FDMB2307NZ |
| 配置 | Dual Common Drain |
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