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详细数据请看参考数据手册

型号： FDMA905P
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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FDMA905P产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FDMA905P由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMA905P价格参考￥2.38-￥7.35。Fairchild SemiconductorFDMA905P封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 P 沟道 12V 10A（Ta） 2.4W（Ta） 6-MicroFET（2x2）。您可以下载FDMA905P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDMA905P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET P-CH 12V 6-MLP 2X2MOSFET -12V Single P-Chan PowerTrench MOSFET
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET P 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	10 A
Id-连续漏极电流	10 A
品牌	Fairchild Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMA905PPowerTrench®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	FDMA905P
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	0.9 W
Pd-功率耗散	900 mW
RdsOn-Drain-SourceResistance	16 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	16 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	12 V
Vds-漏源极击穿电压	- 12 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 8 V
Vgs-栅源极击穿电压	8 V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	3405pF @ 6V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	29nC @ 6V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	16 毫欧 @ 10A，4.5V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	6-MLP（2x2）
其它名称	FDMA905PFSTR
功率-最大值	900mW
包装	带卷（TR）
单位重量	30 mg
商标	Fairchild Semiconductor
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	6-WDFN 裸露焊盘
封装/箱体	MicroFET-6 2x2
工厂包装数量	3000
晶体管极性	P-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	3,000
漏源极电压(Vdss)	12V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	10A （Ta）
系列	FDMA905P
配置	Single