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FDMA86551L产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDMA86551L由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMA86551L价格参考。Fairchild SemiconductorFDMA86551L封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 7.5A(Ta) 2.4W(Ta) 6-MicroFET(2x2)。您可以下载FDMA86551L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMA86551L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 60V 6-MLPMOSFET 60V Single N-Channel PowerTrench MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 7.5 A |
Id-连续漏极电流 | 7.5 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMA86551LPowerTrench® |
数据手册 | |
产品型号 | FDMA86551L |
Pd-PowerDissipation | 2.4 W |
Pd-功率耗散 | 2.4 W |
Qg-GateCharge | 12 nC |
Qg-栅极电荷 | 12 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 35 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 35 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.8 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.8 V |
上升时间 | 1.7 ns |
下降时间 | 1.4 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1235pF @ 30V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 23 毫欧 @ 7.5A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 6-MicroFET(2x2) |
其它名称 | FDMA86551LCT |
典型关闭延迟时间 | 7.3 ns |
功率-最大值 | 2.4W |
包装 | 剪切带 (CT) |
单位重量 | 30 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
封装/箱体 | MicroFET-6 2x2 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 7.5A (Ta) |
系列 | FDMA86551 |
配置 | Single |