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FDMA7628产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDMA7628由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMA7628价格参考。Fairchild SemiconductorFDMA7628封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, N-Channel 20V 9.4A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)。您可以下载FDMA7628参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMA7628 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 20V 6QFNMOSFET Snlg PT4, N 20/8V in MLP 2.05x2.05 |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 9.4 A |
Id-连续漏极电流 | 9.4 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMA7628PowerTrench® |
数据手册 | |
产品型号 | FDMA7628 |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 1.9 W |
Pd-功率耗散 | 1.9 W |
Qg-GateCharge | 17.5 nC |
Qg-栅极电荷 | 17.5 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 32.3 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 32.3 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 1.5 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 1 V |
上升时间 | 11 ns |
下降时间 | 11 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1680pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17.5nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 14.5 毫欧 @ 9.4A,4.5V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | MicroFET 2x2 |
其它名称 | FDMA7628DKR |
典型关闭延迟时间 | 37 ns |
功率-最大值 | 700mW |
包装 | Digi-Reel® |
单位重量 | 30 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-WFDFN 裸露焊盘 |
封装/箱体 | MicroFET-6 2x2 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 56 S |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 9.4A (Ta) |
系列 | FDMA7628 |
配置 | Single |