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  • 型号: FDMA430NZ
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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FDMA430NZ产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDMA430NZ由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMA430NZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDMA430NZ封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 5A(Ta) 2.4W(Ta) 6-MicroFET(2x2)。您可以下载FDMA430NZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMA430NZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 30V 5A MICROFETMOSFET 2.5V SINGLE NCH SPECIFIED POWER

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平栅极,2.5V 驱动

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

5 A

Id-连续漏极电流

5 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMA430NZPowerTrench®

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产品型号

FDMA430NZ

PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

0.9 W

Pd-功率耗散

900 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

40 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

40 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 12 V

Vgs-栅源极击穿电压

12 V

上升时间

7.1 ns

下降时间

7.1 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

800pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

11nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

40 毫欧 @ 5A,4.5V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

6-MicroFET(2x2)

其它名称

FDMA430NZDKR

典型关闭延迟时间

18.1 ns

功率-最大值

2.4W

包装

Digi-Reel®

单位重量

30 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-WDFN 裸露焊盘

封装/箱体

MicroFET-6 2x2

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

5A (Ta)

系列

FDMA430NZ

通道模式

Enhancement

配置

Single Quad Drain

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