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  • 型号: FDMA291P
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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FDMA291P产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDMA291P由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMA291P价格参考。Fairchild SemiconductorFDMA291P封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 20V 6.6A(Ta) 2.4W(Ta) 6-MicroFET(2x2)。您可以下载FDMA291P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMA291P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 20V 6.6A MFET 2X2MOSFET -20V Single P-Ch. PowerTrench MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平栅极,1.8V 驱动

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

6.6 A

Id-连续漏极电流

6.6 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMA291PPowerTrench®

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产品型号

FDMA291P

PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

2.4 W

Pd-功率耗散

2.4 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

36 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

36 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 20 V

Vds-漏源极击穿电压

- 20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 8 V

Vgs-栅源极击穿电压

8 V

上升时间

9 ns

下降时间

25 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1000pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

14nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

42 毫欧 @ 6.6A,4.5V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

6-MicroFET(2x2)

其它名称

FDMA291PCT

典型关闭延迟时间

42 ns

功率-最大值

900mW

包装

剪切带 (CT)

单位重量

30 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-WDFN 裸露焊盘

封装/箱体

MicroFET-6 2x2

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

16 S

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

6.6A (Ta)

系列

FDMA291P

通道模式

Enhancement

配置

Single Quad Drain

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