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Datasheet下载- 型号： FDMA291P
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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FDMA291P产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDMA291P由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMA291P价格参考。Fairchild SemiconductorFDMA291P封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 20V 6.6A（Ta） 2.4W（Ta） 6-MicroFET（2x2）。您可以下载FDMA291P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDMA291P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的FDMA291P是一款N沟道MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），广泛应用于多种电子设备和电路中。该器件的主要应用场景包括但不限于以下几个方面： 1. 电源管理：FDMA291P常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器等电源管理系统中，作为功率开关元件。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于提高效率，减少功耗和热量生成，特别适合需要高效能、低损耗的应用。 2. 电机驱动：在电机控制领域，如无刷直流电机（BLDC）、步进电机等，FDMA291P可以作为驱动信号的开关，实现对电机的精确控制。它能够快速响应PWM（脉宽调制）信号，确保电机平稳运行，同时具备良好的耐压能力，适用于不同电压等级的电机系统。 3. 负载开关：该MOSFET也适用于各种负载开关应用，例如USB充电器、笔记本电脑、智能手机和平板电脑中的电池管理电路。通过控制电源的通断，它可以保护电路免受过流、短路等异常情况的影响，保障设备的安全性和稳定性。 4. 汽车电子：在汽车行业中，FDMA291P可用于车身控制模块（BCM）、电动助力转向系统（EPS）、空调控制系统等。其AEC-Q101认证确保了其在严苛环境下的可靠性和耐用性，满足汽车级应用的高标准要求。 5. 消费电子产品：诸如智能家电、LED照明、音频设备等消费类电子产品中，FDMA291P同样发挥着重要作用。它能够提供稳定的电流输出，支持高频率操作，并且体积小巧，便于集成到紧凑型设计中。 总之，FDMA291P凭借其优异的电气性能和广泛的适用性，在众多领域展现了强大的应用潜力。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 6.6A MFET 2X2MOSFET -20V Single P-Ch. PowerTrench MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，1.8V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6.6 A |
| Id-连续漏极电流 | 6.6 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMA291PPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDMA291P |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.4 W |
| Pd-功率耗散 | 2.4 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 36 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 36 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 9 ns |
| 下降时间 | 25 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1000pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 42 毫欧 @ 6.6A，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-MicroFET（2x2） |
| 其它名称 | FDMA291PCT |
| 典型关闭延迟时间 | 42 ns |
| 功率-最大值 | 900mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 30 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | MicroFET-6 2x2 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 16 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.6A （Ta） |
| 系列 | FDMA291P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain |
