Datasheet下载- 型号： FDMA1430JP
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDMA1430JP由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMA1430JP价格参考。Fairchild SemiconductorFDMA1430JP封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDMA1430JP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDMA1430JP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | FET/BJT NPN/P CH 30V 2.9A MICROFMOSFET P-Chan -30V -2.9A |
| 产品分类 | 晶体管 - 专用型分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 2.9 A |
| Id-连续漏极电流 | - 2.9 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMA1430JPPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDMA1430JP |
| Pd-PowerDissipation | 1.5 W |
| Pd-功率耗散 | 1.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 90 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 90 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 1 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 33 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | MicroFET 2x2 |
| 其它名称 | FDMA1430JPDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 107 ns |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 40 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | MicroFET-6 2x2 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 应用 | 负载开关 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 晶体管类型 | NPN，P 通道 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 11 S |
| 电压-额定 | 30V |
| 系列 | FDMA1430 |
| 额定电流 | 2.9A |
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