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  • 型号: FDMA1032CZ
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDMA1032CZ由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMA1032CZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDMA1032CZ封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 20V 3.7A,3.1A 700mW 表面贴装 6-MicroFET(2x2)。您可以下载FDMA1032CZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMA1032CZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

IC MOSFET N/P-CHAN MICROFET 2X2MOSFET 20V Complementary PowerTrench MOSFET

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

N 和 P 沟道

Id-ContinuousDrainCurrent

3.7 A

Id-连续漏极电流

3.7 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMA1032CZPowerTrench®

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产品型号

FDMA1032CZ

PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

1.4 W

Pd-功率耗散

1.4 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

37 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

37 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vds-漏源极击穿电压

20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 12 V

Vgs-栅源极击穿电压

12 V

上升时间

8 ns, 11 ns

下降时间

8 ns, 11 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

340pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

6nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

68 毫欧 @ 3.7A,4.5V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

6-MicroFET(2x2)

其它名称

FDMA1032CZCT

典型关闭延迟时间

14 ns, 37 ns

功率-最大值

700mW

包装

剪切带 (CT)

单位重量

40 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-WDFN 裸露焊盘

封装/箱体

MicroFET-6 2x2

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N and P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

16 S, - 11 S

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

3.7A,3.1A

系列

FDMA1032CZ

通道模式

Enhancement

配置

Complementary

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