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FDMA1029PZ产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDMA1029PZ由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMA1029PZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDMA1029PZ封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 3.1A 700mW Surface Mount 6-MicroFET (2x2)。您可以下载FDMA1029PZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMA1029PZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | IC MOSFET P-CH DUAL MICROFET 2X2MOSFET -20V Dual P-Channel PowerTrench MOSFET |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 P 沟道(双) |
Id-ContinuousDrainCurrent | 3.1 A |
Id-连续漏极电流 | 3.1 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMA1029PZPowerTrench® |
数据手册 | |
产品型号 | FDMA1029PZ |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 1.4 W |
Pd-功率耗散 | 1.4 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 60 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 60 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
上升时间 | 11 ns |
下降时间 | 11 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 540pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 95 毫欧 @ 3.1A,4.5V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 6-MicroFET(2x2) |
其它名称 | FDMA1029PZDKR |
典型关闭延迟时间 | 37 ns |
功率-最大值 | 700mW |
包装 | Digi-Reel® |
单位重量 | 40 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
封装/箱体 | MicroFET-6 2x2 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | - 11 S |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.1A |
系列 | FDMA1029PZ |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Dual |