【晶体管 - FET，MOSFET - 阵列_FDMA1023PZ】封装/厂家_FDMA1023PZ中文资料_价格

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型号： FDMA1023PZ
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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FDMA1023PZ产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FDMA1023PZ由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMA1023PZ价格参考￥1.11-￥1.48。Fairchild SemiconductorFDMA1023PZ封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 P 沟道（双） Mosfet 阵列 20V 3.7A 700mW 表面贴装 6-MicroFET（2x2）。您可以下载FDMA1023PZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDMA1023PZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET P-CHAN DUAL MICROFET2X2MOSFET -20V Dual P-Ch PowerTrench MOSFET
产品分类	FET - 阵列分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	2 个 P 沟道（双）
Id-ContinuousDrainCurrent	- 3.7 A
Id-连续漏极电流	- 3.7 A
品牌	Fairchild Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMA1023PZPowerTrench®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	FDMA1023PZ
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	1.5 W
Pd-功率耗散	1.5 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	72 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	72 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	- 20 V
Vds-漏源极击穿电压	- 20 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 8 V
Vgs-栅源极击穿电压	8 V
上升时间	12 ns
下降时间	12 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	1.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	655pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	12nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	72 毫欧 @ 3.7A，4.5V
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	6-MicroFET（2x2）
其它名称	FDMA1023PZCT
典型关闭延迟时间	64 ns
功率-最大值	700mW
包装	剪切带（CT）
单位重量	40 mg
商标	Fairchild Semiconductor
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	6-WDFN 裸露焊盘
封装/箱体	MicroFET-6 2x2
工厂包装数量	3000
晶体管极性	P-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
正向跨导-最小值	12 S
漏源极电压(Vdss)	20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	3.7A
系列	FDMA1023PZ
通道模式	Enhancement
配置	Dual

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