ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > FDM3622
Datasheet下载- 型号： FDM3622
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
FDM3622产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDM3622由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDM3622价格参考。Fairchild SemiconductorFDM3622封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 100V 4.4A（Ta） 2.1W（Ta） 8-MLP（3.3x3.3）。您可以下载FDM3622参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDM3622 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDM3622 |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1090pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 60 毫欧 @ 4.4A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 8-MLP（3.3x3.3） |
| 其它名称 | FDM3622CT |
| 功率-最大值 | 900mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.4A （Ta） |
.JPG)
