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Datasheet下载- 型号： FDL100N50F
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDL100N50F由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDL100N50F价格参考。Fairchild SemiconductorFDL100N50F封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 500V 100A（Tc） 2500W（Tc） TO-264。您可以下载FDL100N50F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDL100N50F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的FDL100N50F是一款N沟道增强型MOSFET，主要用于高压、高功率应用。其主要应用场景包括但不限于以下几种： 1. 电源管理 FDL100N50F广泛应用于开关电源（SMPS）中，尤其是在AC-DC和DC-DC转换器中。它能够承受高达500V的漏源电压（VDS），并且具有较低的导通电阻（RDS(on)），这使得它在高压环境下仍能保持高效的电流传输。其快速开关特性有助于减少开关损耗，提高电源转换效率。 2. 电机驱动 在工业自动化和消费电子领域，FDL100N50F可用于驱动各种类型的电机，如步进电机、直流电机等。其高耐压和低导通电阻特性使其能够在高频开关条件下高效工作，同时减少发热，延长设备寿命。此外，它还可以用于电机的制动和反向保护电路中。 3. 逆变器 FDL100N50F适用于太阳能逆变器和其他类型的电力逆变器。在这些应用中，MOSFET需要频繁进行开关操作以将直流电转换为交流电。该器件的快速开关特性和低损耗特性使其成为理想选择，特别是在要求高效能和可靠性的场合。 4. 电磁兼容性（EMC）滤波器 在一些对电磁干扰敏感的应用中，如通信设备和医疗设备，FDL100N50F可以用作EMC滤波器中的关键元件。它能够有效抑制高频噪声，确保系统稳定运行。 5. 电池管理系统（BMS） 在电动汽车（EV）和储能系统中，FDL100N50F可以用于电池管理系统的充放电控制电路中。它能够精确控制电流流动，防止过充或过放，从而保护电池并延长其使用寿命。 6. LED照明 在大功率LED照明系统中，FDL100N50F可以用于驱动电路中，帮助调节电流并提供稳定的电压输出。其低导通电阻有助于减少功耗，提升照明系统的整体效率。 总之，FDL100N50F凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于多种高压、高功率场景中，尤其适合对效率和稳定性有较高要求的工业和消费电子产品。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 100A TO-264MOSFET UniFET 500V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDL100N50FUniFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDL100N50F |
| PCN封装 | |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2500 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 kW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 43 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 43 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 186 ns |
| 下降时间 | 105 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 12000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 238nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 55 毫欧 @ 50A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-264 |
| 典型关闭延迟时间 | 202 ns |
| 功率-最大值 | 2500W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 6.756 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-264-3，TO-264AA |
| 封装/箱体 | TO-264-3 |
| 工厂包装数量 | 25 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 25 |
| 正向跨导-最小值 | 95 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A （Tc） |
| 系列 | FDL100N50F |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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