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型号： FDH44N50
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FDH44N50由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDH44N50价格参考。Fairchild SemiconductorFDH44N50封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，通孔 N 沟道 500V 44A（Tc） 750W（Tc） TO-247。您可以下载FDH44N50参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDH44N50 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDH44N50是由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的一款单通道MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。该器件具有特定的应用场景和优势，适用于多种电力电子应用。

 主要应用场景：

1. 电源管理：
   - 开关电源（SMPS）：FDH44N50的低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性使其非常适合用于高效能的开关电源设计。它可以在高频条件下保持较低的功耗，从而提高电源转换效率。
   - DC-DC转换器：在DC-DC转换器中，FDH44N50可以用作同步整流器或主开关，帮助实现高效的电压转换，尤其适用于需要高效率和小尺寸的设计。

2. 电机驱动：
   - 无刷直流电机（BLDC）：FDH44N50可以用于BLDC电机的驱动电路中，作为功率级的一部分，控制电机的相位电流。其低导通电阻有助于减少发热，延长电机的使用寿命。
   - 步进电机驱动：在步进电机驱动电路中，FDH44N50可以用作半桥或全桥配置中的功率开关，提供精确的电流控制和高效的能量传输。

3. 负载开关：
   - 电池管理系统（BMS）：在电池管理系统中，FDH44N50可以用作负载开关，控制电池与负载之间的连接。其低导通电阻和快速响应特性有助于保护电池免受过流、短路等异常情况的影响。
   - 便携式设备：在智能手机、平板电脑等便携式设备中，FDH44N50可以用作负载开关，实现电源的快速切换和节能管理。

4. 逆变器：
   - 太阳能逆变器：在太阳能逆变器中，FDH44N50可以用作功率开关，将直流电转换为交流电。其高效能和可靠性有助于提高逆变器的整体性能，减少能量损失。
   - UPS系统：在不间断电源（UPS）系统中，FDH44N50可以用作逆变器的关键组件，确保在市电中断时能够迅速切换到备用电源，提供稳定的电力输出。

 总结：
FDH44N50是一款高性能的MOSFET，广泛应用于电源管理、电机驱动、负载开关和逆变器等领域。其低导通电阻、快速开关特性和高可靠性使其成为许多电力电子应用的理想选择。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 500V 44A TO-247MOSFET Single N-Ch 500V .12Ohm SMPS
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	44 A
Id-连续漏极电流	44 A
品牌	Fairchild Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDH44N50-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	FDH44N50
PCN封装	点击此处下载产品Datasheet
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	750 W
Pd-功率耗散	750 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	120 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	120 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	500 V
Vds-漏源极击穿电压	500 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 30 V
Vgs-栅源极击穿电压	30 V
上升时间	84 ns
下降时间	79 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	5335pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	108nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	120 毫欧 @ 22A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-247
典型关闭延迟时间	45 ns
功率-最大值	750W
包装	管件
单位重量	6.390 g
商标	Fairchild Semiconductor
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	TO-247-3
封装/箱体	TO-247-3
工厂包装数量	30
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	30
正向跨导-最小值	11 S
漏源极电压(Vdss)	500V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	44A （Tc）
系列	FDH44N50
通道模式	Enhancement
配置	Single