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Datasheet下载- 型号： FDH3632
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDH3632由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDH3632价格参考。Fairchild SemiconductorFDH3632封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 100V 12A（Ta），80A（Tc） 310W（Tc） TO-247。您可以下载FDH3632参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDH3632 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的FDH3632是一款N沟道增强型功率MOSFET，主要用于需要高效开关和低导通电阻（Rds(on)）的应用场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理：FDH3632适用于各种电源管理系统，如开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器和电池充电电路。它能够提供高效的电力传输，减少能量损耗，提高系统的整体效率。 2. 电机驱动：在电机控制应用中，FDH3632可以用于驱动小型直流电机、步进电机和无刷直流电机。它的低导通电阻有助于降低功耗，提高电机的响应速度和精度。 3. 负载切换：该MOSFET适用于负载切换电路，例如在汽车电子系统中用于控制车灯、风扇和其他电气设备的开关。它能够快速响应，确保负载的稳定性和可靠性。 4. 通信设备：在通信基站、路由器和交换机等设备中，FDH3632可用于电源管理和信号处理电路。它的低噪声特性和高开关速度有助于提高通信系统的性能和稳定性。 5. 消费电子：在智能手机、平板电脑和笔记本电脑等消费电子产品中，FDH3632可用于电源管理单元（PMU）和电池管理系统（BMS）。它的小尺寸和高效性能使得其非常适合便携式设备。 6. 工业自动化：在工业控制系统中，FDH3632可用于PLC（可编程逻辑控制器）、传感器接口和执行器驱动电路。它的耐用性和可靠性使其能够在严苛的工业环境中长期稳定工作。 7. LED照明：在LED驱动电路中，FDH3632可以用于调光和恒流控制。它能够精确调节电流，确保LED的亮度一致性和寿命延长。 总之，FDH3632凭借其优异的电气特性，广泛应用于各类高效能、低功耗的电子设备中，满足不同领域的需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 80A TO-247MOSFET TO-247 / FDH3632 |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 80 A |
| Id-连续漏极电流 | 80 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDH3632PowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDH3632 |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 310 W |
| Pd-功率耗散 | 310 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 7.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 39 ns |
| 下降时间 | 46 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 110nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9 毫欧 @ 80A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 其它名称 | FDH3632-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 96 ns |
| 功率-最大值 | 310W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 6.390 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Ta）， 80A （Tc） |
| 系列 | FDH3632 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FDH3632_NL |
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