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Datasheet下载- 型号： FDG8850NZ
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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FDG8850NZ产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDG8850NZ由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDG8850NZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDG8850NZ封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 30V 750mA 300mW 表面贴装 SC-70-6。您可以下载FDG8850NZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDG8850NZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDG8850NZ是由ON Semiconductor（现为安森美半导体）生产的一款MOSFET阵列晶体管。该器件主要应用于需要高效、低功耗和高可靠性的电子电路中，特别是在电源管理、信号切换和保护电路等领域。以下是其具体应用场景： 1. 电源管理：FDG8850NZ适用于各种电源管理系统，如DC-DC转换器、线性稳压器等。它能够提供高效的开关性能，减少功率损耗，提高整体系统的能效。 2. 负载开关：在便携式设备如智能手机、平板电脑和其他电池供电的电子产品中，FDG8850NZ可以作为负载开关，用于控制不同模块的电源通断，延长电池寿命。 3. 电机驱动：该器件可用于小型电机驱动电路，例如步进电机或无刷直流电机。通过精确控制电流和电压，确保电机平稳运行并降低能耗。 4. 信号切换：在通信设备、音频处理单元及其它需要频繁切换信号路径的应用场合，FDG8850NZ可实现快速且可靠的信号切换功能，同时保持较低的导通电阻以减少信号损失。 5. 保护电路：FDG8850NZ还可以用作过流保护、短路保护等安全措施的一部分。当检测到异常情况时，它可以迅速切断电路，防止损坏其他组件。 6. 消费电子与工业自动化：从家用电器到工厂自动化系统，这款MOSFET阵列都能发挥重要作用，提供稳定而高效的电力传输与控制解决方案。 总之，FDG8850NZ凭借其优异的电气特性，在众多领域展现出广泛的应用前景，尤其适合对效率和可靠性有较高要求的产品设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET DUAL N-CH 30V SC70-6MOSFET 30V Dual N-CH PowerTrench MOSFET |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 750 mA |
| Id-连续漏极电流 | 750 mA |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDG8850NZPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDG8850NZ |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 360 mW |
| Pd-功率耗散 | 360 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 400 mOhms at 4.5 V |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 400 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 1 ns |
| 下降时间 | 1 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 120pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.44nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 400 毫欧 @ 750mA，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SC-70-6 |
| 其它名称 | FDG8850NZCT |
| 典型关闭延迟时间 | 9 ns |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 28 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SC-70-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 750mA |
| 系列 | FDG8850NZ |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
