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Datasheet下载- 型号： FDG6335N
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDG6335N由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDG6335N价格参考。Fairchild SemiconductorFDG6335N封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 20V 700mA 300mW 表面贴装 SC-70-6。您可以下载FDG6335N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDG6335N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的FDG6335N是一款双N沟道MOSFET阵列，广泛应用于各种电子设备中。它具有低导通电阻（Rds(on)）、快速开关速度和高可靠性等特性，适用于多种应用场景。 1. 电源管理 FDG6335N常用于电源管理系统中，特别是在DC-DC转换器、线性稳压器和负载开关等应用中。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提高效率，特别适合需要高效能电源管理的便携式设备，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑。 2. 电机控制 在小型电机控制中，FDG6335N可以作为驱动元件，用于控制电机的启动、停止和调速。其快速开关特性使得它能够实现精确的PWM（脉宽调制）控制，适用于无刷直流电机（BLDC）和其他类型的电机控制系统。 3. 信号切换 该器件也可用于信号切换电路中，例如在音频设备或通信设备中，用于切换不同的信号路径。由于其低导通电阻和快速响应时间，FDG6335N可以在不同信号源之间进行快速、干净的切换，而不会引入过多的噪声或失真。 4. 电池保护 在电池管理系统中，FDG6335N可以用作电池保护开关，防止过充、过放和短路等异常情况。它的低导通电阻有助于减少电池放电时的电压降，延长电池的使用寿命。 5. 消费电子 在消费电子产品中，如智能家居设备、智能手表和其他可穿戴设备中，FDG6335N可以用于电源管理和信号切换，帮助设备实现更长的续航时间和更高的性能。 6. 工业自动化 在工业自动化领域，FDG6335N可以用于各种传感器接口、执行器控制和通信模块中，提供可靠的开关功能和高效的电源管理。 总之，FDG6335N凭借其出色的电气性能和可靠性，适用于广泛的电子应用领域，尤其是在对效率和响应速度有较高要求的场景中表现尤为出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 700MA SOT-363MOSFET FDG6335N |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 700 mA |
| Id-连续漏极电流 | 700 mA |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDG6335NPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDG6335N |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 0.3 W |
| Pd-功率耗散 | 300 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 300 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 300 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 7 ns |
| 下降时间 | 7 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 113pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.4nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 300 毫欧 @ 700mA，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SC-70-6 |
| 其它名称 | FDG6335N-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 9 ns |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单位重量 | 28 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SC-70-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 2.8 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 700mA |
| 系列 | FDG6335N |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | FDG6335N_NL |
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