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  • 型号: FDG6332C_F085
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDG6332C_F085由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDG6332C_F085价格参考。Fairchild SemiconductorFDG6332C_F085封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDG6332C_F085参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDG6332C_F085 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N/P-CH 20V SC70-6MOSFET 20V N&P Chan PowerTrench

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

N 和 P 沟道

Id-连续漏极电流

700 mA

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDG6332C_F085PowerTrench®

数据手册

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产品型号

FDG6332C_F085

PCN封装

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Pd-PowerDissipation

300 mW

Pd-功率耗散

300 mW

Qg-GateCharge

1.1 nC, 1.4 nC

Qg-栅极电荷

1.1 nC, 1.4 nC

RdsOn-漏源导通电阻

300 mOhms, 420 mOhms

Vds-漏源极击穿电压

20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 12 V

Vgs-栅源极击穿电压

12 V

上升时间

7 nS, 14 nS

下降时间

1.5 nS, 1.7 nS

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

113pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

1.5nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

300 毫欧 @ 700mA,4.5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SC-70-6

其它名称

FDG6332C_F085DKR
FDG6332C_F085DKR-ND
FDG6332C_F085FSDKR

典型关闭延迟时间

9 nS, 6 nS

功率-最大值

300mW

包装

Digi-Reel®

单位重量

28 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

300 mOhms at 4.5 V at Q1, 420 mOhms at 4.5 V at Q2

封装

Reel

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

封装/箱体

SC-70-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N and P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

2.8 S, 1.8 S

汲极/源极击穿电压

+/- 20 V

漏极连续电流

700 mA

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

700mA,600mA

系列

FDG6332C

通道模式

Enhancement

配置

Dual

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