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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N/P-CH 20V SC70-6MOSFET 20V N&P Chan PowerTrench |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | N 和 P 沟道 |
Id-连续漏极电流 | 700 mA |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDG6332C_F085PowerTrench® |
数据手册 | |
产品型号 | FDG6332C_F085 |
PCN封装 | |
Pd-PowerDissipation | 300 mW |
Pd-功率耗散 | 300 mW |
Qg-GateCharge | 1.1 nC, 1.4 nC |
Qg-栅极电荷 | 1.1 nC, 1.4 nC |
RdsOn-漏源导通电阻 | 300 mOhms, 420 mOhms |
Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
上升时间 | 7 nS, 14 nS |
下降时间 | 1.5 nS, 1.7 nS |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 113pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.5nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 300 毫欧 @ 700mA,4.5V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SC-70-6 |
其它名称 | FDG6332C_F085DKR |
典型关闭延迟时间 | 9 nS, 6 nS |
功率-最大值 | 300mW |
包装 | Digi-Reel® |
单位重量 | 28 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 300 mOhms at 4.5 V at Q1, 420 mOhms at 4.5 V at Q2 |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
封装/箱体 | SC-70-6 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N and P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 2.8 S, 1.8 S |
汲极/源极击穿电压 | +/- 20 V |
漏极连续电流 | 700 mA |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 700mA,600mA |
系列 | FDG6332C |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Dual |